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光刻機/紫外曝光機(Mask Aligner)
光刻機/紫外曝光機(Mask Aligner)

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韓國

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上海載德半導體技術有限公司

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儀器簡介:

光刻機/紫外曝光機 (Mask Aligner)

原產國: 韓國,**能做到圖形化藍寶石襯底(PSS)光刻機,高性價比

型號:KCMA-100;

又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統,光刻機,紫外曝光機等;

ECOPIA為全球**的半導體設備供應商,多年來致力于掩模對準光刻機和勻膠機研發與生產,并且廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域;該公司是目前世界上*早將光刻機商品化的公司之一,擁有雄厚的技術研發力量和設備生產能力;并且其設備被眾多**企業、研發中心、研究所和高校所采用;以優秀的技術、精湛的工藝和良好的服務,贏得了用戶的青睞。

感謝南開大學,中科院半導體所,中科院長春應化所,中科院物理所,浙江師范大學使用此設備做課題研究!!

此型號光刻機是所有進口設備中性能價格比**的型號,達到歐美品牌的對準精度,CCD顯示屏對準更為方便,液晶觸摸屏操作,采用歐司朗紫外燈,壽命長。整機效果皮實耐用,正常使用3年內不會出問題!!

目前,上海藍光已采用該公司全自動型光刻機做LED量化生產,證明其品質達到LED產業標準要求!!而且已經成功提供圖形化藍寶石襯底(PSS)光刻工藝設備.

技術參數:

- 基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他尺寸可定制;

- 光束均勻性:<±3%;

- 曝光時間可調范圍:0.1 to 999.9秒;

- 對準精度:0.6-1微米

- 分辨率:1微米;

- 光束輸出強度:15-25mW/cm2;

項目技術規格
曝光系統(Exposure System)

MDA-400M型

光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply
分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )

- Hard Contact : 1um

- Soft contact : 2um

- 20um Proximity: 5um

**光束尺寸4.25×4.25 inch
光束均勻性≤ ±3% (4inch standard)
光束強度15~20mW/cm2(365nm Intensity)
曝光時間可調整0.1 to 999.9 sec
對準系統(Alignment System)對準精度1um
對準間隙手動調節(數字顯示)
光刻模式真空, 硬接觸, 軟接觸,漸進(Proximity)
卡盤水平調節楔形錯誤補償Wedge Error Compensation
真空卡盤移動X, Y: 10 mm, Theta: ±5°
Z向移動范圍10mm
接近調整步幅1um
樣品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch
掩模板尺寸4 and 5 inch
Utilities真空 Vacuum< -200 mbar (系統包含真空泵)
壓縮空氣 CDA> 5Kg/cm2
氮氣 N2>3Kg/cm2
電源 Electricity220V, 15A, 1Phase
顯微鏡及顯示器

CCD and Monitor

Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;

主要特點:

- 光源強度可控;

- 紫外曝光,深紫外曝光(Option);

- 系統控制:手動、半自動和全自動控制;

- 曝光模式:真空接觸模式(接觸力可調),Proximity接近模式, 投影模式;

- 真空吸盤范圍可調;

- **技術:可雙面對準,可雙面光刻,具有IR和CCD模式

-兩個CCD顯微鏡系統,**放大1000倍,顯示屏直接調節,比傳統目鏡對準更方便快捷,易于操作。

- 特殊的基底卡盤可定做;

- 具有楔形補償功能;

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10分

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10分

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