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405nm 50mW 同軸封裝 單模光纖 半導體激光器
405nm 50mW單模光纖耦合激光器
訂購型號：MPLP-405-050m-4
極限參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
反向電壓 | Vre | 5.0 | V |
工作溫度 | Top | 0-+70 | ℃ |
存儲溫度 | Tst | -35-+85 | ℃ |
焊接溫度 | Tis | 260 | ℃ |
主要特征 波長405nm 3-4μm單模光纖 同軸封裝 光電探測器可選 應用領域 醫療 印刷 | |||
典型技術指標（25℃） | 符號 | 單位 | *小值 | 典型值 | **值 | |
光學參數 | 中心波長 | λc | nm | 400 | 405 | 410 |
連續輸出功率 | Po | mW | - | 50mW | - | |
光譜寬度 | △λ | nm | - | 2.0 | - | |
波長溫度系數 | - | Nm/℃ | - | - | - | |
光纖參數 | 光纖芯徑 | Wc | μm | 3 | ||
數值孔徑 | NA | nm | 0.12 | |||
光纖長度 | cm | 80 | 100 | |||
光纖類型 | 紫外單模光纖 | |||||
連接器 | FC/ST/SMA905 | |||||
電學參數 | 工作電壓 | Vop | V | - | 4.6 | 5.5 |
閾值電流 | Ith | mA | - | 35 | 50 | |
工作電流 | Iop | mA | - | 110 | 130 | |
監測電流 | mA | - | ||||
微分效率 | ηD | mW/mA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | |
PD參數 | 反向耐壓 | V | - | |||
正向電流 | mA | |||||
其他參數 | 封裝類型 | 同軸 | ||||
側面探測器可選 | ||||||
同軸封裝圖
引腳底部圖
1 | LD(+) |
2 | GND |
3 | LD(-) |
注意事項
一．激光器工作時避免激光器直射眼鏡和皮膚，即使很微弱的激光進入眼睛，經過眼睛的會聚作用，也可能造成嚴重的損傷。
二．激光器需要穩定的驅動電源，避免出現浪涌，瞬時反向電流反向電壓不能超過極限值，否則會損壞元器件。
三．半導體激光器對溫度比較敏感，在高溫工作會降低轉換效率，加速元器件老化，需要在充分散熱或制冷的條件下使用。
四．激光器應在額定電流，額定功率下使用，輸出功率過高會加速元器件老化。
五．激光器屬于靜電敏感器件，在運輸，儲存和使用中必須采取防靜電措施。
六．激光器應存放或工作在干燥，通風的環境中，防止結露損壞激光器。
七．發光面（腔面）是激光器的關鍵部分之一，避免任何操作損傷到腔面，器件使用過程中應確保管芯不被污染并防止機械損傷。
八．光纖不可有大角度的彎折，彎曲直徑要大于 300 倍光纖直徑
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