這個(gè)獨(dú)特的校準(zhǔn)標(biāo)樣直接溯源于硅晶體的晶格常數(shù)，它能用來(lái)對(duì)所有透射電鏡進(jìn)行三項(xiàng)專(zhuān)業(yè)的標(biāo)定和校正：

• 放大倍率（全范圍）

• 相機(jī)常數(shù)

• 像與衍射花樣之間的磁轉(zhuǎn)角

放大倍率校準(zhǔn)是電鏡中*普遍的校準(zhǔn)，因?yàn)榇_定電鏡本身顯示的或圖像上的放大倍率數(shù)值是否準(zhǔn)確，以及如果不準(zhǔn)該如何修正，這是很重要的工作。有了獨(dú)特的MAG*I*CAL校準(zhǔn)標(biāo)樣，你就可以在大約1000x至1，000，000x全范圍內(nèi)對(duì)一臺(tái)透射電鏡的放大倍率進(jìn)行校準(zhǔn)。由于樣品本身是一個(gè)單晶體，它也能用來(lái)對(duì)相機(jī)常數(shù)以及像/衍射花樣的磁轉(zhuǎn)角進(jìn)行校準(zhǔn)。盡管MAG*I*CAL校準(zhǔn)標(biāo)樣是為T(mén)EM在材料科學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用而研發(fā)的，但在生命科學(xué)領(lǐng)域也同樣有用。

MAG*I*CAL校準(zhǔn)的參考標(biāo)準(zhǔn)是一個(gè)離子減薄過(guò)的硅基半導(dǎo)體多層截面TEM樣品。它含有4組由5層10nm厚SiGe合金層和13nm厚純硅層相間隔組成的結(jié)構(gòu)。分子束外延（MBE）法生長(zhǎng)的高質(zhì)量外延層作為單晶硅001襯底上的應(yīng)變層。這樣的4組交替相間的結(jié)構(gòu)層（超晶格）為T(mén)EM成像提供明暗對(duì)比，并且是以硅111面晶格間距作為單晶硅襯底上的測(cè)量依據(jù)通過(guò)高分辨透射電鏡（HREM）直接校準(zhǔn)的，標(biāo)樣上的校準(zhǔn)標(biāo)記直接引用一個(gè)自然常數(shù)，即硅的晶格常數(shù)，這樣MAG*I*CAL就可完整追溯到一個(gè)自然的基本常數(shù)。