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Intense**的QWI技術可以增大半導體激光器的量子阱能帶隙，可在同一腔內(nèi)產(chǎn)生有源區(qū)和無源區(qū)，并在腔面形成一種無源吸收反射鏡(NAMs)，可有效地避免其他半導體激光器件常見的光學災變(COMD)，性能更可靠穩(wěn)定。產(chǎn)品包括：高功率可見光和近紅外半導體激光器器件和陣列，可獨立尋址的半導體激光器陣列。
主要特點
·波長8xx，9xxnm ，功率<200mW
·減少復雜性、節(jié)約成本、高可靠性
·量子阱混合技術、高質(zhì)量光學
·封裝緊湊、可作為直接光源
·應用包括數(shù)字式彩打、光動力療法、通信、材料加工
暫無數(shù)據(jù)！
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