美國RHK無液氦低溫STM/qPlusAFM系統(tǒng)

美國RHK Technology公司突破了制冷機與STM結(jié)合時，存在極強震動噪音的技術(shù)壁壘，推出了首款無液氦UHV LT STM/ AFM-qPlus系統(tǒng)。在制冷機運行的狀態(tài)下(<9K)，輕松獲得原子級分辨率的掃描隧道顯微圖像。簡單易用的機械和軟件設(shè)計，不需要掌握復雜的STM技術(shù)和低溫制冷方法，輕松開展材料科學和表面物理前沿科學研究，讓低溫STM真正走進您的實驗室。

應用領(lǐng)域：

● 二維材料，納米科學，表面物理化學等

● STM：導電樣品形貌、電學性能（電導、電子態(tài)密度、能帶、軌道）、磁學性能（近藤效應、自旋反轉(zhuǎn)）、化學鍵振動表征，原子或分子操縱，納米結(jié)構(gòu)的建造

● AFM：導電或不導電樣品形貌表征，力學性能，電荷分布（局部接觸勢）

基本參數(shù)：

- 溫度范圍：9K-400K

- XY方向漂移：0.2?/hour，Z方向漂移: 0.2?/day

- XYZ方向粗位移范圍：5x5x8mm@RT

- 極大掃描范圍：8x8x1.5um@RT；2x2x0.5um@10K

- 垂直樣品方向5T磁場或垂直

- 平行樣品方向5T-1T矢量磁場

產(chǎn)品特點：

- 無需任何液氦，樣品和探針始終處于相同溫度；

- 全溫區(qū)范圍實現(xiàn)STM原子級分辨圖像；在制冷機運行狀態(tài)下，噪音水平低于1pm；

- 工作模式有STM和AFM-qPlus，具有強大的譜圖采集和分析能力；自帶PLL和Lock-in，實現(xiàn)I-V，dI/dV以及dI2/dV2譜線采集和譜圖成像；

- 樣品架靈活配置：樣品尺寸10x10mm，可外接4個電路；

- 僅需日常用電，運行和維護成本極低。徹底擺脫低溫STM實驗受液氦供應制約的煩惱。不再需要掌握復雜的液氦操作和安全知識，連續(xù)不間斷地進行低溫STM實驗研究。

- 適用于與UFO腔體/MBE/PLD/LEED/APERS等儀器實現(xiàn)真空聯(lián)用。

Si(111)表面dI/dV(微分電導) mapping

同時測量的Si(111)樣品STM/qPlus-AFM原子圖像

應用案例：

案例1：

Oregon University的George Nazin教授利用掃描隧道顯微（STM）和掃描隧道譜學（STS）技術(shù)研究了吸附在Au(111)表面上的烷基取代噻吩低聚物的構(gòu)象和電子結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)Au(111)表面反應活性的局部變化可以導致分子軌道能級的明顯變化（下圖，DOI: 10.1021/acsami.5b03516）。

這些結(jié)果表明，界面分子的構(gòu)象和電子結(jié)構(gòu)可能與基于塊狀噻吩晶體的能帶結(jié)構(gòu)而預期的性能有很大的不同。

案例2：

荷蘭Leiden University的Marc T. M. Koper教授通過原子分辨的STM圖像發(fā)現(xiàn)了兩條由水分子組成的平行線沿Pt(111)臺階邊緣排布（下圖，DOI: 10.1103/PhysRevLett.116.136101），并驗證了Pt(111)的模板作用，確認形成了雙鏈水的結(jié)構(gòu)。

這些結(jié)果突出表明了Pt表面電子波紋對吸附在其表面的水結(jié)構(gòu)的巨大影響。

發(fā)表文章：

1. Lee E. Korshoj et al. Nature comm. 8:14231， 2017.

2. Benjamen N. Taber et al. ACS Appl. Mater. Interfaces 2015， 7， 15138?15142.

3. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. C 2015， 119， 26959?26967.

4. Christian F. Gervasi et al.Nanoscale， 2015， 7， 19732–19742.

5. Manuel J. Kolb et al.PRL 116， 136101 (2016).

6. J. Derouin et al.Surface Science 641 (2015) L1–L4.

7. Jason D. Hackley et al.REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 85， 103704 (2014).

8. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. Lett. 2016， 7，1047?1054.

9. D. A. Kislitsyn et al.Phys. Chem. Chem. Phys.， 2016， 18， 4842--4849.

10. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. Lett. 2014， 5， 3701?3707.

11. Jonathan Derouin et al.ACS Catal. 2016， 6， 4640?4646.

12. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. Lett. 2014， 5， 3138?3143.

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