紅外光晶圓檢查顯微鏡 IR Light Wafer Inspection Microscope

應用：

以下兩張圖片是用紅外光顯微鏡拍攝的。

在絕緣體上硅(SOI)晶圓片上制作的部分微結構的俯視圖。

紅外圖像相同的地區經過60分鐘的高頻氣相腐蝕。掩埋的二氧化硅的蝕刻變得可見，這使得可以確定釋放和非釋放部分

idonus紅外顯微鏡的特點：

1、背面紅外光源

2、頂部光源

3、XY移動臺ZUI大可檢測晶圓尺寸8英寸

4、長工作距離物鏡

5、三步變焦

6、紅外傳感器鏡頭

7、通過計算機查看

idonus紅外顯微鏡的應用：

1、釋放后的MEMS器件的檢查

2、填埋材料的蝕刻速率測試（如SOI晶圓）

3、融熔接合的檢查

4、硅晶圓/碎片的背面校準

5、質量控制

idonus紅外顯微鏡的優點：

1、在較高的填充因子下的可靠的加工更小的MEMS圖案

2、頂部和背部光源

3、高分辨率（5倍物鏡下分辨率優于3 μm）

4、更小的印跡

5、操作簡單，快速顯示結果

產品型號：IRM 200-auto可放置晶圓尺寸：200mm（8英寸）以內

XY臺移動距離：200 X 200 mm

XY臺移動方式：通過操縱桿全自動控制

產品型號：IRM 100-man可放置晶圓尺寸：100mm（4英寸）以內

XY臺移動距離：100 X 100 mm

XY臺移動方式：手動

其他參數：

光學分辨率：5倍物鏡下分辨率優于3 μm

工作距離：32mm

放大倍數：2.5X ， 5X ， 10X （5倍物鏡下）

變焦：三步變焦0.5X ， 1X ， 2X

攝像頭：黑白，USB接口輸出，分辨率140萬像素

紅外光源波長：1 μm

可選配件：2.5X，10X，20X物鏡；10mm，150mm晶圓適配環；圖像識別軟件