Q150V Plus為高真空鍍膜應用做了優化設計,極限真空度可達
1x10-6mbar。結合潘寧規和皮拉尼規的使用,可以使易被氧化的金屬形成超小尺寸的顆粒,以實現高分辨率成像。高真空腔室也可以將氮氣,氧氣和水完全除去,避免在濺射過程中因化學反應導致雜質和缺陷形成。較低的濺射速率還可獲得高純度和高密度的無定型碳膜。產品特點
1. 極限真空度可達1x10-6mbar
2. 新的LED狀態指示燈
3. 16G內存可以存儲1000個以上條件設置記錄
4. 新軟件允許多用戶界面設置
5. 新的電容觸摸屏設計