PHI ADEPT 1010

簡介

動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀（D-SIMS）是使用一次離子束（通常是Cs源）轟擊樣品表面，而產(chǎn)生二次離子，然后用質(zhì)譜分析儀分析二次離子的質(zhì)荷比（m/q），從而得知元素在樣品中的深度分布，是分析半導(dǎo)體摻雜和離子注入的強(qiáng)有力的工具。

優(yōu)勢

ULVAC-PHI **設(shè)計的四極桿-二次離子質(zhì)譜儀ADPT1010，在原有的PHI6300和PHI6600的基礎(chǔ)上，改善了離子光學(xué)系統(tǒng)，是在一次離子能量低至250eV時，仍保持有效的濺射束流的動態(tài)二次離子質(zhì)譜系統(tǒng)（D-SIMS）。

特點(diǎn)

1. 大束流低能量離子槍設(shè)計，極大的提高了深度分辨率

2. 高性能離子光學(xué)系統(tǒng)，改善了二次離子傳輸效率，在提高分析效率的同時又提高了檢測靈敏度

3. 高精度全自動5軸樣品操控臺

4. 不同方向進(jìn)入檢測器的二次離子，均可被高靈敏地收集檢測

應(yīng)用實例分析

采用一次離子源Cs在加速5kV束流為100nA的條件下，分析GaAs中注入的H，C，O元素。可以看到H檢測限值7.1X10¹⁶ atm/cm³，O檢測限值4.4X10¹⁵ atm/cm³，C檢測限值2.0X10¹⁵ atm/cm³。