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立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)
立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)

參考價格

100-150萬元

型號

VCVD

品牌

頂立科技

產地

湖南

樣本

暫無
湖南頂立科技股份有限公司

金牌會員

|

第12年

|

生產商

工商已核實

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核心參數
  • 非金屬電熱元件:

    其他
  • 金屬電熱元件:

    其他
  • 燒結氣氛:

    真空
  • 溫控精度:

    ±5
  • 最高溫度:

    1500
  • 額定溫度:

    1500
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立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)

  • 產品描述:

  • 立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)可用于材料的表面涂層、基體改性、復合材料制備等

  • 應用范圍:

  • 外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導體坩堝、陶瓷基復合材料等


技術特征

采用先進的控制技術,能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內沉積氣流穩定,壓力波動范圍小;

全密閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強;

多通道工藝氣路,流場均勻,無沉積死角,沉積效果好;

多級高效尾氣處理系統,能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產物,環境友好;

可選配新設計的防腐蝕真空機組,持續工作時間長,維修率極低;

使用工藝氣氛:真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。


產品規格

參數\型號VCVD-0305-SICVCVD-0608-SICVCVD-0812-SICVCVD-1120-SICVCVD-1520-SIC
工作區尺寸D×H(mm)300×500600×800800×12001100×20001500×2000
**溫度(℃)15001500150015001500
溫度均勻性(℃)±5±7.5±7.5±10±10
極限真空度(Pa)1-1001-1001-1001-1001-100
壓升率(Pa/h)0.670.670.670.670.67
加熱方式電阻電阻電阻電阻電阻

以上參數可根據工藝要求進行調整,不作為驗收依據,具體以技術方案和協議為準。


配置選擇

結構形式:臥式-單開門/雙開門;立式-上出料/下出料

爐門鎖緊方式:手動/自動

爐殼材質:內層不銹鋼/全不銹鋼

保溫材質:碳氈/石墨氈/碳纖維固化氈/陶瓷纖維氈

加熱器、馬弗材質:石墨/CFC/金屬

熱電偶:K/N/C/S分度號

真空泵:機械泵組/耐腐蝕泵組



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產品質量

10分

售后服務

10分

易用性

10分

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10分
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