寬禁帶半導體材料和器件

2000年和2006年在西安電子科技大學分別獲得電子科學與技術專業學士學位和博士學位，博士導師為郝躍院士。碩士/博士生導師，現為國家級科技創新人才，郝躍院士寬禁帶半導體團隊金剛石方向帶頭人。

近年來主持國家重點研發計劃項目，國家自然科學基金重點項目等多項國家級項目。發表SCI論文70余篇，授權國家發明專利40余項，獲得省部級一等獎兩項。系統構建了我國金剛石超寬禁帶半導體核心技術，研制出高性能微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）設備和大尺寸高質量金剛石材料，金剛石制備技術專利ZL201710805891.1等得到轉化應用。提出了氫終端金剛石表面電導輸運理論，發現了制約輸運特性的關鍵機制，促成金剛石表面電導近年來提升一個數量級；研制出了高性能金剛石MOSFET器件，研究論文[IEEE Electron Device Lett. 38, 786；IEEE Electron Dev Lett 38 (9), 1302 (2017)]是微電子旗艦刊物IEEE Electron Device Letters對中國金剛石場效應管成果的首次和第二次報道；提出了一種超高純金剛石表面終端調制輻射探測器結構，研制出高性能金剛石輻射探測器，研究論文[Appl Phys Lett 116 (9), 092104 (2020); IEEE Electron Dev Lett 43 (3), 454 (2022) ]分別是這兩種期刊對中國金剛石輻射探測器研究成果的首次報道。