主要研究方向：ZnO材料生長、物性調控及應用；納米薄層材料高真空CVD技術研發及應用。

葉志鎮，男，1955年5月生于浙江溫州。現任浙江大學材料科學與工程系主任。浙江省特級專家、浙大求是特聘教授、博士生導師。兼任國家自然科學基金委信息科學部半導體學科評審組成員，全國電子材料專委副主任，全國半導體與集成技術、半導體材料和半導體物理專委委員等。1999-2009年曾任浙江大學材料科學與化學工程學院副院長。1997-2009年曾任浙江大學硅材料國家重點實驗室主任。
1977年考入浙江大學電機系，1982年1月獲學士，1984年獲浙大光儀系碩士，1987年獲光儀系博士；畢業后留校工作，1990－1992年作為、高級訪問學者、留學美國麻省理工學院(MIT)；1994年晉升為教授；1996年選為博導。1988年進入浙大硅材料國家重點實驗室，一直從事半導體薄膜教學科研工作，主要研究方向：ZnO材料生長、物性調控及應用；納米薄層材料高真空CVD技術研發及應用。
多年來圍繞國家光電信息技術和節能技術目標，完成20余項國家與省部級科研項目。負責完成 “十五”國家“973”課題和國家自然基金重點項目各1項；目前在研包括”973”課題、國家自然基金重點項目、面上基金及省部級科研項目10余項。
國際上較早開展ZnO研究。1989年ZnO研究結果發表在國際期刊Applied Optics上；1990年“ZnO:In透明導電薄膜”獲浙江省科技三等獎。在ZnO薄膜制備、p型摻雜與LED室溫電致發光；ZnO納米結構可控生長與場發射應用；ZnO:Ga透明導電薄膜等方面取得了重要創新成果；其中“ZnO基材料生長、p型摻雜與室溫電致發光研究”獲2006年浙江省科技一等獎、2007年國家自然科學二等獎；“基于納米管、納米線的低維結構材料可控生長與應用基礎研究”獲2007年浙江省科技一等獎。
高真空CVD薄膜技術及應用研究取得重要成果。合作創建了國內第一臺超高真空CVD設備，自主研發了超高真空CVD和高真空MOCVD兩大類創新薄膜系統，發展了低溫CVD工藝；研制了優質Si、SiGe和GaN等晶體薄膜材料與器件；整套技術在全國50多家大學和科研單位推廣應用，效益重大；3項成果獲省部級科技二等獎，其中浙江省科技發明二等獎1項，教育部二等獎2項。
10項成果獲得獎勵，其中國家自然科學二等獎1項，浙江省科技一等獎2項，省部級科技二等獎3項；浙江省鑒定成果5項；授權國家發明專利36項；發表論文400多篇，其中國際權威期刊Adv. Mater.1篇，APL30篇；被SCI收錄200余篇、EI收錄100余篇，論文被他引1700余次，其中SCI他引1200余次；國際大會報告40多次，其中邀請報告15次，包括美國MRS秋季大會邀請報告。
1994年被評為國家重點實驗室全國先進工作者并獲“金牛獎”；1995年選為浙江省首批“中青年學術帶頭人”；1996年入選教育部“跨世紀優秀人才培養計劃”；1997年入選國家“百千萬人才工程”；1997年享受國務院特殊津貼。2006年被聘為浙大首批求是特聘教授；2007年評為浙江省突出貢獻中青年專家；2008年選為浙江省特級專家和浙江省優秀留學回國人員。