在半導體薄膜點缺陷的研究中取得多個重大進展，發展了非晶Si及其合金薄膜的熱平衡理論，在Si3N4薄膜中發現存在有N-Pair的新型點缺陷，并建立了Si基薄膜表面缺陷的衍生機制；在納米電子輸運機理方面，拓展了納米半導體疊層的量子共振遂穿理論。1984年，參與研制出國內第一個效率達到4.4%的a-Si p-i-n薄膜電池；創新了InP基雙重摻雜-漂移機制和Si基新型徑向異質結的新型太陽電池；目前保持有效率為22.4%的Si基平面異質結太陽電池的國內記錄，已具備產業化的技術能力。

湖南岳陽人，光電薄膜材料與器件、新能源領域專家，目前為北京工業大學學術委員會委員、材料學科學術委員會主任。1984年本科畢業于蘭州大學物理系獲理學學士學位，1989年留學日本、師從國際半導體知名學者清水立生教授，1993年獲國立金澤大學理學博士學位；歷任過日本NEC株式會社外國人特別研究員、香港中文大學電子工程系博士后研究員；1996年加盟北京工業大學，創立薄膜科學與技術研究室，是創建北京工業大學材料學科的主要成員之一，1998年破格晉升教授、博士生導師，為北京工業大學材料學科、物理學科等多學科的建設和發展作出了重要貢獻，并參與組建了多個省部級重點實驗室、國家和北京市多個重點和交叉學科，是多個省部級學術創新團隊以及國家、地方和企業重要課題的負責人。