1.氮化物半導體晶體的生長、加工及其結構和性能研究。

2.氮化物半導體材料在能源領域應用。

3.背散射電子衍射技術在單晶材料結構與性能分析的應用。

主要從事寬禁帶半導體氮化物單晶材料的生長、加工和性能研究，以及SEM、EDS和背散射電子衍射（EBSD）測試技術的研究工作，特別是在GaN晶體材料領域取得了一系列原創(chuàng)性成果。提出了一種通過晶體取向數據分析單晶應力的方法，拓展了EBSD在化合物半導體晶體材料的結構、缺陷和應力分析領域的應用；設計了多種新型緩沖襯底實現了GaN單晶中缺陷和應力的控制，掌握了高質量GaN單晶生長關鍵技術，主持國家級項目1項，參與國家和省級項目5項，2019年獲山東省重點扶持區(qū)域引進急需緊缺人才項目支持。發(fā)表SCI收錄學術論文70余篇，其中第一作者或通訊作者的SCI收錄論文13篇。解決了相關技術從實驗室走向企業(yè)的關鍵問題，提高了GaN單晶生長與襯底加工的技術成熟度，作為主要骨干成員在GaN單晶襯底技術實現產業(yè)轉化過程中起到重要作用。