長期從事硅、化合物半導(dǎo)體晶體生長，稀土半導(dǎo)體、硅基半導(dǎo)體材料制備；半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)與缺陷行為，界面、表面物理化學(xué)；半導(dǎo)體材料與器件性能關(guān)系，納米半導(dǎo)體材料、高k材料和紅外光學(xué)材料等方面研究。研究課題包括半導(dǎo)體單晶生長中的傳質(zhì)、傳熱過程，硅外延生長動力學(xué)，半導(dǎo)體材料中的缺陷與雜質(zhì)，半導(dǎo)體材料表面物理化學(xué)，三元系化合物半導(dǎo)體晶格動力學(xué)，稀土半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)相變，鍺硅半導(dǎo)體材料的制備技術(shù)，納米半導(dǎo)體材料制備及性能評價，高k柵介質(zhì)材料缺陷及界面穩(wěn)定性研究，紅外光學(xué)材料制備及性能研究，半導(dǎo)體材料檢測技術(shù)等。

1969年畢業(yè)于天津大學(xué)；1983年獲英國巴斯大學(xué)固體物理學(xué)博士學(xué)位；1994年11月-1995年7月美國北卡羅萊納州立大學(xué)高級訪問學(xué)者。2007年當(dāng)選為中國工程院院士?，F(xiàn)任北京有色金屬研究總院名譽院長。

中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會常務(wù)委員會委員，中國材料研究學(xué)會副理事長，中國有色金屬學(xué)會副理事長、中國稀土學(xué)會副理事長、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會副理事長。