第三代寬帶隙碳化硅（SiC）功率半導體材料工程、制造裝備與功率器件制造技術

1963年7月生，1985年和1988年畢業于蘭州大學物理系并分獲理學學士和理學碩士學位，1988-1990年于西安理工大學自動化與信息工程學院電子工程系（原陜西機械學院自動化工程系）任助教，1994年畢業于中國科學院半導體研究所并獲理學博士學位，同年留所從事半導體致冷技術的開發工作。1997-1998年在美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）物理系做博士后研究工作。目前主要從事第三代寬帶隙SiC（碳化硅）半導體外延材料生長、特性表征、以及SiC功率半導體器件研制工作。先后參加和主持國家“863”、國家重大基礎研究計劃項目（973項目）、國家自然科學基金委、中國科學院重點和北京市科委等項目多項。近來，作為廣東省創新科研團隊引進項目的主要成員，與廣東省企業合作承擔了廣東省戰略性新型產業項目和東莞市重大方向性項目，開展SiC外延晶片產業化以及SiC功率半導體器件制造技術研發工作。