基于GaN基半導體材料的紫外光電器件及應用
基于GaN基半導體材料的射頻器件及集成電路
基于GaN基半導體材料的電力電子器件及應用

清華大學電子工程系學士，佐治亞理工學院電子及計算機工程系博士。曾在美國高平（Kopin）半導體公司III-V部門從事研發工作。具備多年GaN、GaAs基器件的設計、制造工藝及器件物理分析經驗。

2006年至2010年，參與完成與美國國防部先進研究項目局（DARPA）在深紫外光電探測器領域的項目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領域的項目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領域取得了豐碩成果的同時，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經驗和世界領先的成果。迄今為止已在國際高水平學術期刊發表GaN方面文章20余篇，及40余篇國際會議文章和1項美國專利申請。相關研究成果先后4次被半導體網絡雜志Semiconductor Today作為熱點報道并獲得廣泛關注。