長期從事寬禁帶半導體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作,先后主持國家863、973和國家科技支撐計劃等23個科研項目,取得了多項研究成果。系統開展了碳化硅晶體生長的基礎和應用開發研究工作,解決了多項關鍵科學問題和系列關鍵技術,生長出2-4英寸高質量晶體;攻克了晶體制備重復性和穩定性等關鍵工程化問題,在國內率先實現了碳化硅晶體的產業化,碳化硅系列晶片批量供應國內用戶,并出口至歐美和日本等發達國家,打破了國外的長期壟斷,為發展我國寬禁帶半導體產業奠定了基礎。發現了一系列新的功能晶體材料,包括新超導體K0.8Fe2Se2和具有潛在應用價值的閃爍晶體YBa3B9O18等,精確測定了新化合物的晶體結構,其中120個化合物的衍射數據被ICDD收錄為標準衍射數據。 |