1995年迄今一直從事III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理和器件研究，在GaN基量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長、強(qiáng)極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運(yùn)性質(zhì)、 寬禁帶半導(dǎo)體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。

1963年生，江蘇揚(yáng)州市人，北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、物理學(xué)院長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創(chuàng)新研究群體帶頭人，國家973計劃項目首席科學(xué)家、國家863計劃“半導(dǎo)體照明”重點(diǎn)專項總體專家組成員、國家863計劃“第三代半導(dǎo)體”重點(diǎn)專項總體專家組組長、國家“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項總體專家組成員，享受國務(wù)院特殊津貼。先后在南京大學(xué)、中國科技大學(xué)和日本東北大學(xué)獲得學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。曾任日本東京大學(xué)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究所研究員，東京大學(xué)先端科技研究中心、千葉大學(xué)電子學(xué)與光子學(xué)研究中心客座教授、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所訪問教授。