SiC功率器件設計、工藝開發、器件流片制作及可靠性研究

何艷靜，女，華山準聘副教授，1987年出生。2011年獲得河北工業大學電子科學與技術學士學位，碩博連讀于2018年獲得西安電子科技大學微電子學與固體電子學博士學位，2019年留校工作。主要從事SiC基功率器件設計、工藝研發、器件制作及相關可靠性問題的研究，作為主要成員參與并完成了國家科技重大專項 、教育部支撐計劃等項目。近年來在Journal of alloys and compounds 、 IEEE Electron Device Letters、Solid-State Electronics、Chinese Physics B等國內外重要期刊和會議上發表論文十余篇，申請專利二十余項，授權專利5項。