張啟東,1982年9月生,陜西西安人;分別于2006年、2008年和2017年在武漢大學(xué)、北京大學(xué)和西安電子科技大學(xué)獲得學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。來(lái)校之前已有十余年集成電路研發(fā)實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),與國(guó)內(nèi)外知名集成電路企業(yè)及軍工研究所保持緊密聯(lián)系與合作,協(xié)助學(xué)生爭(zhēng)取優(yōu)質(zhì)的實(shí)習(xí)機(jī)會(huì),在找工作時(shí)給予指導(dǎo)與工作推薦。
張啟東博士在校期間主要從事模擬和數(shù)模混合集成電路設(shè)計(jì)、混合寬禁帶半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)等研究,可支配科研經(jīng)費(fèi)一千萬(wàn)以上。當(dāng)前工作研究方向集中在:無(wú)線能量傳輸芯片和系統(tǒng)(超聲、激光和電磁波方式)、電池能量管理芯片和系統(tǒng)(監(jiān)控和充放電管理)、充電樁數(shù)字電源芯片和系統(tǒng)(PFC, LLC,移相全橋等)、高性能電源集成電路(開(kāi)關(guān)電源和線性電源)、低壓電器專(zhuān)用芯片(電弧監(jiān)控、漏電監(jiān)控、節(jié)能控制)、隔離類(lèi)芯片(隔離通訊、隔離驅(qū)動(dòng)、隔離ADC和隔離放大器)、傳感器芯片(霍爾、磁通門(mén)、TMR等)、混合寬禁帶半導(dǎo)體器件(GaN混合電路、SiC混合電路等)等方面的研究。 |