一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料（包括As，P，Sb和氮化物）的生長及器件應用工作，制備出多種量子異質結構材料如量子阱、超晶格、2DEG，多種薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，應用到多種半導體器件如：半導體激光器、發光二極管、HBT、HEMT等。

1992年獲得山東大學凝聚態物理博士學位，師從于蔣民華院士。2000年留美回國-至今，獲教育部第一批長江計劃的特聘教授，2000年度國家杰出青年科學基金獲得者，973首席科學家，主要從事半導體材料制備及其應用研究的工作。

自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料（包括As，P，Sb和氮化物）的生長及器件應用工作，制備出多種量子異質結構材料如量子阱、超晶格、2DEG，多種薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，應用到多種半導體器件如：半導體激光器、發光二極管、HBT、HEMT等。積極響應國家號召，踐行產學研結合，服務地方服務山東，把科技創新的成果產業化；自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2英寸6H-SiC、3英寸以上的4H-SiC等的單晶生長技術，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發光二極管。先后承擔了多項863、973、國家重大專項等課題。

獲得多項表彰和獎勵，如1995年洪堡學者，1998年獲得由IEE頒發的Electronics Letters Premium，1999年在美國獲得由IEEE頒發的Best Paper Award，2000年獲得“國家杰出青年基金”，2003年“山東省科技進步一等獎”、“山東省留學回國創業獎”，2005年獲“山東省十大杰出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎”，2013年獲得“山東省技術發明一等獎”等。任國務院學位委員會委員、國家863計劃半導體照明工程總體專家組專家等等。至今已經發表超過150篇相關論文及會議報告。