1、氮化鎵材料新型功率器件可靠性、工藝與模塊研制
2、新型寬禁帶光電磁傳感器芯片與集成

黃火林， 現任大連理工大學光電工程與儀器科學學院教授、博導。2006年7月和2011年7月于廈門大學物理系分別獲得學士和博士學位，2011年8月至2014年10月在新加坡國立大學（NUS）電機工程系（ECE）從事新一代GaN材料功率電子器件研制工作，負責攻關《高壓高功率氮化鎵材料功率電子器件技術研發》重大項目。該項目典型成果是獲得大于3V閾值電壓和超過1000V擊穿電壓性能的常關型（增強型）功率器件，以及基于無金（Au-free）工藝技術的+2V閾值電壓和600V擊穿電壓的常關型功率器件，項目器件指標達到同期國際先進水平。2014年12月被引進大連理工大學，主要繼續從事GaN功率電子器件、新型GaN材料光電磁傳感器集成技術研究方向，目前建立并領導大連理工大學GaN功率器件團隊（包括3位高級職稱和2位中級職稱專職教師）。在GaN電子器件技術方向，已在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Power Electronics等領域著名期刊和重要國際會議上發表學術論文近五十篇，已經申請或授權發明專利二十余項、國際專利二項（第一發明人、近五年）。