高光效GaN基和AlGaInP基LED芯片研制、GaN電力電子器件研制以及MicroLED芯片研制。

吳小明，男，博士，江西新余人， 2014年博士畢業于南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心，2015年留校。現為南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心副研究員，江西省發光材料重點實驗室主任。在本領域權威雜志美國應用物理快報（SCI二區）、美國應用物理學報以及中國物理快報等雜志發表多篇論文，論文“Hole injection from the sidewall of V-shaped pits into c-plane multiple quantum wells in InGaN light emitting diodes”發表后，作為半導體光電子器件的國際新聞，為英國著名行業雜志《semiconductor today》報道。2018年至今，主持研制的高光效AlGaInP紅光LED，經來自全國科研院所、高等院校、檢測機構、聯盟、協會、學會共12名專家組成鑒定委員會鑒定，達到國際先進水平。