在第三代半導體碳化硅（SiC）賽道上，0.1μm 的精度誤差可能導致良品率暴跌 15%，單晶圓成本激增數(shù)千元！從晶體生長到晶圓加工，每一道工序都在考驗設備的精度極限。

2025年8月20-21日在江蘇·蘇州由中國粉體網(wǎng)主辦的第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會現(xiàn)場，復拓科學儀器（蘇州）有限公司攜三大殺手锏級產(chǎn)品震撼亮相，直擊行業(yè)痛點：

✅ 膜厚測量儀 Premier 50：精準到 Å 級的膜厚把控，告別外延層厚度不均導致的器件失效

✅ 光學表面形貌儀：納米級粗糙度檢測，讓微缺陷無處遁形

✅ 晶圓厚度測量系統(tǒng)：±1μm 的厚度測量精度，解決翹曲超差引發(fā)的封裝難題

🔥 三大主推產(chǎn)品，如何顛覆行業(yè)認知？

1️⃣ 膜厚測量儀 Premier 50—— 外延層的「納米級標尺」

SiC 器件性能高度依賴外延層質(zhì)量，但傳統(tǒng)測量方式誤差高達 ±5%，導致批次性良品率不足 70%！Premier 50 憑借光譜橢偏 + 激光干涉雙技術融合，實現(xiàn)：

• 檢測精度達 1Å：可分辨原子層厚度變化，確保外延層均勻性

• 測量速度提升 3 倍：單晶圓檢測僅需 30 秒，適配產(chǎn)線高速需求

• 多膜層同步分析：一次測量獲取 SiC/SiO₂/ 金屬層等 5 層以上膜厚數(shù)據(jù)

  
  

2️⃣ 光學表面形貌儀 —— 缺陷檢測的「納米顯微鏡」

SiC 晶圓表面的微小凸起或凹陷，可能造成器件擊穿電壓下降 20%！復拓這款設備搭載白光干涉 + 共聚焦復合技術，做到：

• 粗糙度檢測下限 0.1nm：精準捕捉原子級臺階高度差

• 3D 形貌實時重構(gòu)：可視化呈現(xiàn)晶圓表面微觀缺陷分布

• AI 缺陷智能分類：自動識別劃痕、顆粒污染等 12 類常見缺陷

  
  

3️⃣ 晶圓厚度測量系統(tǒng) —— 厚度控制的「微米級衛(wèi)士」

晶圓厚度不均會導致封裝應力集中，引發(fā)芯片失效！該系統(tǒng)采用多光束共焦測量技術，實現(xiàn)：

• ±1μm 厚度測量精度：全晶圓 2000 + 點位快速掃描

• 翹曲度實時監(jiān)測：同步輸出 TTV（總厚度變化）、局部厚度等 6 項關鍵參數(shù)

• 邊緣盲區(qū)檢測：攻克傳統(tǒng)設備難以測量的晶圓邊緣區(qū)域

📢 參會即享「三重硬核福利」，錯過再等一年！

1️⃣ 零距離技術體驗：現(xiàn)場操作三大設備，實測自家樣品數(shù)據(jù)（限前 20 名預約）

2️⃣ 定制化解決方案：復拓專家團隊一對一診斷產(chǎn)線精度問題，出具優(yōu)化報告

3️⃣ 展會專屬優(yōu)惠：現(xiàn)場簽約設備享折扣 + 年度校準服務

碳化硅器件成本每降低 10%，市場份額就能提升 20%！這是一場關乎企業(yè)未來 5 年競爭力的技術博弈。現(xiàn)在掃碼聯(lián)系會務組鎖定席位！

會務組緊急通道

📞 段經(jīng)理：13810445572（微信同號，備注「復拓」優(yōu)先對接）

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📍 坐標：蘇州·白金漢爵大酒店（8 月 20-21 日 9:00-17:00）